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BFG425W,115

BFG425W,115

Solo per riferimento

Numero parte BFG425W,115
PNEDA Part # BFG425W-115
Descrizione RF TRANS NPN 4.5V 25GHZ CMPAK-4
Produttore NXP
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.438
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BFG425W Risorse

Brand NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBFG425W,115
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
BFG425W, BFG425W Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 143,86 KB)
PDFBFG425W Datasheet Copertura
BFG425W Datasheet Pagina 2 BFG425W Datasheet Pagina 3 BFG425W Datasheet Pagina 4 BFG425W Datasheet Pagina 5 BFG425W Datasheet Pagina 6 BFG425W Datasheet Pagina 7 BFG425W Datasheet Pagina 8 BFG425W Datasheet Pagina 9 BFG425W Datasheet Pagina 10 BFG425W Datasheet Pagina 11

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BFG425W Specifiche

ProduttoreNXP USA Inc.
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)4.5V
Frequenza - Transizione25GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz
Guadagno20dB
Potenza - Max135mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce50 @ 25mA, 2V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)30mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-82A, SOT-343
Pacchetto dispositivo fornitoreCMPAK-4

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

5V

Frequenza - Transizione

24GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.25dB @ 1.8GHz

Guadagno

15.5dB

Potenza - Max

450mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 50mA, 4V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-82A, SOT-343

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT343-4

CM5160

Central Semiconductor Corp

Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

40V

Frequenza - Transizione

500MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

1W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 50mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

400mA

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-39

SD1244-12H

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

9GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz

Guadagno

-

Potenza - Max

300mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 20mA, 6V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

70mA

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-253-4, TO-253AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-143B

MS2212

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

55V

Frequenza - Transizione

960MHz ~ 1.215GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8.1dB ~ 8.9dB

Potenza - Max

50W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

15 @ 500mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1.8A

Temperatura di esercizio

250°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

M222

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