BFR31LT1
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| Numero parte | BFR31LT1 |
| PNEDA Part # | BFR31LT1 |
| Descrizione | JFET N-CH 225MW SOT23 |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.526 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida) |
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BFR31LT1 Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BFR31LT1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - JFET |
| Datasheet |
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BFR31LT1 Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | - |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 25V |
| Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 1mA @ 10V |
| Corrente assorbita (Id) - Max | - |
| Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id | 2.5V @ 0.5nA |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5pF @ 10V |
| Resistenza - RDS (On) | - |
| Potenza - Max | 225mW |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 150µA @ 5V Corrente assorbita (Id) - Max 1mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 500mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4.1pF @ 5V Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max 100mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia SC-72 Pacchetto dispositivo fornitore 3-SPA |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) - Tensione Drain to Source (Vdss) 15V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 14.5mA @ 5V Corrente assorbita (Id) - Max 50mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 600mV @ 100µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 10pF @ 5V Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max 300mW Temperatura di esercizio 125°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia SC-72 Pacchetto dispositivo fornitore 3-SPA |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET P-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 40V Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 9mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 1V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7pF @ 15V Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max 350mW Temperatura di esercizio -65°C ~ 135°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92 (TO-226) |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET P-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 30V Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 20mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 5V @ 10nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Resistenza - RDS (On) 85 Ohms Potenza - Max 350mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
Produttore Central Semiconductor Corp Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 25V Tensione Drain to Source (Vdss) 25V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 24mA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 2V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5pF @ 10V Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max 350mW Temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23 |
