2SK596S-B
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| Numero parte | 2SK596S-B | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | 2SK596S-B | ||||||||||||||||||
| Descrizione | JFET N-CH 1MA 100MW SPA | ||||||||||||||||||
| Produttore | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 20.035 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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2SK596S-B Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | 2SK596S-B |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - JFET |
| Datasheet |
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2SK596S-B Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | - |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | - |
| Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 150µA @ 5V |
| Corrente assorbita (Id) - Max | 1mA |
| Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id | 500mV @ 1µA |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4.1pF @ 5V |
| Resistenza - RDS (On) | - |
| Potenza - Max | 100mW |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | SC-72 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 3-SPA |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET - Tensione - Guasto (V (BR) GSS) - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) - Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 40V Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 8mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 16pF @ 20V Resistenza - RDS (On) 80 Ohms Potenza - Max 360mW Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 3-SMD, No Lead Pacchetto dispositivo fornitore UB |
Produttore Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/385 Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 30V Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 80mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 4V @ 0.5nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 18pF @ 10V Resistenza - RDS (On) 60 Ohms Potenza - Max 360mW Temperatura di esercizio -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore TO-18 (TO-206AA) |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 140µA @ 2V Corrente assorbita (Id) - Max 1mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 100mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3.1pF @ 2V Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max 30mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-1123 Pacchetto dispositivo fornitore 3-USFP |
Produttore Panasonic Electronic Components Serie - Tipo FET P-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 600µA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max 20mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 1.5V @ 10µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 10pF @ 10V Resistenza - RDS (On) 300 Ohms Potenza - Max 300mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 3-SSIP Pacchetto dispositivo fornitore NS-A1 |
