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BBS3002-DL-1E

BBS3002-DL-1E

Solo per riferimento

Numero parte BBS3002-DL-1E
PNEDA Part # BBS3002-DL-1E
Descrizione MOSFET P-CH 60V 100A D2PAK
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 46.806
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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BBS3002-DL-1E Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBBS3002-DL-1E
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
BBS3002-DL-1E, BBS3002-DL-1E Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 265,57 KB)
PDFBBS3002-DL-E Datasheet Copertura
BBS3002-DL-E Datasheet Pagina 2 BBS3002-DL-E Datasheet Pagina 3 BBS3002-DL-E Datasheet Pagina 4 BBS3002-DL-E Datasheet Pagina 5 BBS3002-DL-E Datasheet Pagina 6

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BBS3002-DL-1E Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C100A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs280nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds13200pF @ 20V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)90W (Tc)
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD²PAK (TO-263)
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.6A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

600mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

390pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 42W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D-Pak

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

AO4419L

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.7A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 9.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.7V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1900pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.1W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IPD75N04S406ATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

75A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.9mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 26µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2550pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

58W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO252-3-313

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

AON7400B_101

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

18A (Ta), 40A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1440pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

4.1W (Ta), 24W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

16.5A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

380mOhm @ 8.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1945pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

205W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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