APTMC120AM55CT1AG
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| Numero parte | APTMC120AM55CT1AG |
| PNEDA Part # | APTMC120AM55CT1AG |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1 |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.562 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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APTMC120AM55CT1AG Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APTMC120AM55CT1AG |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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APTMC120AM55CT1AG Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Funzione FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 55A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 49mOhm @ 40A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 2mA (Typ) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 98nC @ 20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 1000V |
| Potenza - Max | 250W |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | SP1 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP1 |
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Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 54mOhm @ 3.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 7.8W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia PowerPAK® SC-70-6 Dual Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® SC-70-6 Dual |
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