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AO4822AL_102

AO4822AL_102

Solo per riferimento

Numero parte AO4822AL_102
PNEDA Part # AO4822AL_102
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Produttore Alpha & Omega Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.178
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 3 - giu 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AO4822AL_102 Risorse

Brand Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAO4822AL_102
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
AO4822AL_102, AO4822AL_102 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 299,34 KB)
PDFAO4822AL_102 Datasheet Copertura
AO4822AL_102 Datasheet Pagina 2 AO4822AL_102 Datasheet Pagina 3 AO4822AL_102 Datasheet Pagina 4 AO4822AL_102 Datasheet Pagina 5 AO4822AL_102 Datasheet Pagina 6

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  • AO4822AL_102 Distributor

AO4822AL_102 Specifiche

ProduttoreAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs19mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds888pF @ 15V
Potenza - Max2W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

28A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 2mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

180nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4507pF @ 25V

Potenza - Max

277W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP6

Pacchetto dispositivo fornitore

SP6-P

TPCF8304(TE85L,F,M

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

72mOhm @ 1.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 10V

Potenza - Max

330mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

VS-8 (2.9x1.5)

NTLJD3181PZTAG

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.8nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

450pF @ 10V

Potenza - Max

710mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

6-WDFN (2x2)

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A, 7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

39A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 39A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 2.7mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

259nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7000pF @ 25V

Potenza - Max

250W

Temperatura di esercizio

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