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APTC80H15T1G

APTC80H15T1G

Solo per riferimento

Numero parte APTC80H15T1G
PNEDA Part # APTC80H15T1G
Descrizione MOSFET 4N-CH 800V 28A SP1
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.302
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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APTC80H15T1G Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPTC80H15T1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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APTC80H15T1G Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo FET4 N-Channel (H-Bridge)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs150mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.9V @ 2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs180nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4507pF @ 25V
Potenza - Max277W
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaSP1
Pacchetto dispositivo fornitoreSP1

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11.7A (Ta), 36A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.7mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

420pF @ 25V

Potenza - Max

3.1W (Ta), 28W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

APTC80DDA29T3G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

290mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

90nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2254pF @ 25V

Potenza - Max

156W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP3

Pacchetto dispositivo fornitore

SP3

SSM6P49NU,LF

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.74nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

480pF @ 10V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

6-UDFN (2x2)

FDMB2307NZ

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

800mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

6-MLP (2x3)

ALD1105SBL

Advanced Linear Devices Inc.

Produttore

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 N and 2 P-Channel Matched Pair

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

10.6V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500Ohm @ 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3pF @ 5V

Potenza - Max

500mW

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