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APTC80DDA29T3G

APTC80DDA29T3G

Solo per riferimento

Numero parte APTC80DDA29T3G
PNEDA Part # APTC80DDA29T3G
Descrizione MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.446
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 30 - mag 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APTC80DDA29T3G Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPTC80DDA29T3G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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APTC80DDA29T3G Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs290mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.9V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs90nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2254pF @ 25V
Potenza - Max156W
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaSP3
Pacchetto dispositivo fornitoreSP3

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Micro Commercial Co

Serie

-

Tipo FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.9nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 10V

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12A, 9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

48nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1310pF @ 10V

Potenza - Max

3.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate, 4V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

58mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

750pF @ 20V

Potenza - Max

1.8W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate, 1.2V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

800mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 800mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

177pF @ 10V

Potenza - Max

500mW (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

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2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.33A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

480mOhm @ 200mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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