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APT40GR120S

APT40GR120S

Solo per riferimento

Numero parte APT40GR120S
PNEDA Part # APT40GR120S
Descrizione IGBT 1200V 88A 500W D3PAK
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.640
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 26 - mag 31 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APT40GR120S Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPT40GR120S
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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APT40GR120S Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo IGBTNPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)88A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)160A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.2V @ 15V, 40A
Potenza - Max500W
Switching Energy1.38mJ (on), 906µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge210nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C22ns/163ns
Condizione di test600V, 40A, 4.3Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitoreD3Pak

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

72A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

216A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 27A

Potenza - Max

500W

Switching Energy

2.2mJ (on), 2.3mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

270nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

24ns/195ns

Condizione di test

960V, 27A, 3Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

FGD3245G2-F085

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK®

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

450V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

23A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.25V @ 4V, 6A

Potenza - Max

150W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Logic

Gate Charge

23nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

900ns/5.4µs

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252AA

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

190A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 50A

Potenza - Max

625W

Switching Energy

465µJ (on), 637µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

165nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

19ns/83ns

Condizione di test

400V, 50A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247 [B]

92-0235

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

430V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.75V @ 5V, 14A

Potenza - Max

125W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Logic

Gate Charge

27nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

900ns/6µs

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

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75A

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200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

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Gate Charge

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Td (acceso / spento) @ 25 ° C

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Condizione di test

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Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

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