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IXGT50N60B

IXGT50N60B

Solo per riferimento

Numero parte IXGT50N60B
PNEDA Part # IXGT50N60B
Descrizione IGBT 600V 75A 300W TO268
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.456
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 25 - mag 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXGT50N60B Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXGT50N60B
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXGT50N60B, IXGT50N60B Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 182,81 KB)
PDFIXGT50N60B Datasheet Copertura
IXGT50N60B Datasheet Pagina 2 IXGT50N60B Datasheet Pagina 3 IXGT50N60B Datasheet Pagina 4

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IXGT50N60B Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieHiPerFAST™
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)75A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 50A
Potenza - Max300W
Switching Energy3mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge160nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C50ns/150ns
Condizione di test480V, 50A, 2.7Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-268

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

25A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 7A

Potenza - Max

80W

Switching Energy

95µJ (on), 115µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

35nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

18.5ns/72ns

Condizione di test

390V, 7A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

37ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

FGA6560WDF

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

120A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 60A

Potenza - Max

306W

Switching Energy

2.46mJ (on), 520µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

84nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

25.6ns/71ns

Condizione di test

400V, 60A, 6Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

110ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3, SC-65-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3PN

STGW40H60DLFB

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 40A

Potenza - Max

283W

Switching Energy

363µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

210nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-/142ns

Condizione di test

400V, 40A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

65A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

72A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 24A

Potenza - Max

250W

Switching Energy

100µJ (on), 600µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

75nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

40ns/105ns

Condizione di test

400V, 24A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

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Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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