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AON3816

AON3816

Solo per riferimento

Numero parte AON3816
PNEDA Part # AON3816
Descrizione MOSFET 2N-CH 20V 4A 8-DFN
Produttore Alpha & Omega Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.860
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AON3816 Risorse

Brand Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAON3816
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
AON3816, AON3816 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 264,38 KB)
PDFAON3816_101 Datasheet Copertura
AON3816_101 Datasheet Pagina 2 AON3816_101 Datasheet Pagina 3 AON3816_101 Datasheet Pagina 4 AON3816_101 Datasheet Pagina 5

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AON3816 Specifiche

ProduttoreAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual) Common Drain
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1100pF @ 10V
Potenza - Max2.5W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore8-DFN (2.9x2.3)

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

276mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

165nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5316pF @ 25V

Potenza - Max

208W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP1

Pacchetto dispositivo fornitore

SP1

FDC6401N

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

324pF @ 10V

Potenza - Max

700mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

SuperSOT™-6

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Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 7.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

630pF @ 15V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

DMC2400UV-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.03A, 700mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

480mOhm @ 200mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

37.1pF @ 10V

Potenza - Max

450mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-563

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Produttore

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

25A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.6mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.9V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.1nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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