IRF7379QTRPBF
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| Numero parte | IRF7379QTRPBF |
| PNEDA Part # | IRF7379QTRPBF |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.832 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRF7379QTRPBF Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IRF7379QTRPBF |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
IRF7379QTRPBF, IRF7379QTRPBF Datasheet
(Totale pagine: 10, Dimensioni: 234,27 KB)
  
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IRF7379QTRPBF Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.8A, 4.3A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 5.8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 520pF @ 25V |
| Potenza - Max | 2.5W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
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