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APTC80TDU15PG

APTC80TDU15PG

Solo per riferimento

Numero parte APTC80TDU15PG
PNEDA Part # APTC80TDU15PG
Descrizione MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6-P
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.994
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APTC80TDU15PG Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPTC80TDU15PG
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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APTC80TDU15PG Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo FET6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs150mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.9V @ 2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs180nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4507pF @ 25V
Potenza - Max277W
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaSP6
Pacchetto dispositivo fornitoreSP6-P

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1676pF @ 10V

Potenza - Max

900mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

IRFI4212H-117P

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

72.5mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

490pF @ 50V

Potenza - Max

18W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-5 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-5 Full-Pak

PHKD13N03LT,518

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.7nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

752pF @ 15V

Potenza - Max

3.57W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

NTMFD5C674NLT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Ta), 42A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14.4mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

640pF @ 25V

Potenza - Max

3W (Ta), 37W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

IRFH4255DTRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

64A, 105A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.2mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 35µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1314pF @ 13V

Potenza - Max

31W, 38W

Temperatura di esercizio

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