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55GN01CA-TB-E

55GN01CA-TB-E

Solo per riferimento

Numero parte 55GN01CA-TB-E
PNEDA Part # 55GN01CA-TB-E
Descrizione RF TRANS NPN 10V 4.5GHZ 3CP
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.690
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

55GN01CA-TB-E Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte55GN01CA-TB-E
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
55GN01CA-TB-E, 55GN01CA-TB-E Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 290,31 KB)
PDF55GN01CA-TB-E Datasheet Copertura
55GN01CA-TB-E Datasheet Pagina 2 55GN01CA-TB-E Datasheet Pagina 3 55GN01CA-TB-E Datasheet Pagina 4 55GN01CA-TB-E Datasheet Pagina 5 55GN01CA-TB-E Datasheet Pagina 6 55GN01CA-TB-E Datasheet Pagina 7 55GN01CA-TB-E Datasheet Pagina 8

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55GN01CA-TB-E Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)10V
Frequenza - Transizione4.5GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.9dB @ 1GHz
Guadagno9.5dB
Potenza - Max200mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 10mA, 5V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)70mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore3-CP

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

24V

Frequenza - Transizione

2.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

7.8dB ~ 8.5dB

Potenza - Max

13W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 200mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1.5A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Stud Mount

Pacchetto / Custodia

55FT

Pacchetto dispositivo fornitore

55FT

2SC4215-O(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Frequenza - Transizione

550MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

5dB @ 100MHz

Guadagno

23dB

Potenza - Max

100mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 1mA, 6V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20mA

Temperatura di esercizio

125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

USM

0912-25

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

55V

Frequenza - Transizione

960MHz ~ 1.215GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8.5dB ~ 10dB

Potenza - Max

125W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 300mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2.5A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55CT

Pacchetto dispositivo fornitore

55CT

UTV8100B

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Frequenza - Transizione

470MHz ~ 860MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8.5dB ~ 9.5dB

Potenza - Max

290W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 1A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

15A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55RT

Pacchetto dispositivo fornitore

55RT

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Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Frequenza - Transizione

650MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3.3dB @ 100MHz

Guadagno

24dB

Potenza - Max

125mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

65 @ 1mA, 6V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

15mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-89, SOT-490

Pacchetto dispositivo fornitore

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