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0912-25

0912-25

Solo per riferimento

Numero parte 0912-25
PNEDA Part # 0912-25
Descrizione RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55CT
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.850
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 19 - mag 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

0912-25 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte0912-25
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF

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0912-25 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)55V
Frequenza - Transizione960MHz ~ 1.215GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno8.5dB ~ 10dB
Potenza - Max125W
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce10 @ 300mA, 5V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)2.5A
Temperatura di esercizio200°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / Custodia55CT
Pacchetto dispositivo fornitore55CT

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Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

5.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

150mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 10mA, 2V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

65mA

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-VFQFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

16-QFN (3x3)

MS2396

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

5V

Frequenza - Transizione

10GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz

Guadagno

7dB ~ 10dB

Potenza - Max

130mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

140 @ 5mA, 1V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

3-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

3-SuperMiniMold (M33)

MDS140L

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

70V

Frequenza - Transizione

1.03GHz ~ 1.09GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

9.5dB

Potenza - Max

500W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 1A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

12A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55AW

Pacchetto dispositivo fornitore

55AW

MS1202

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

35V

Frequenza - Transizione

118MHz ~ 136MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8.4dB

Potenza - Max

15W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

5 @ 100mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

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