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2SA1020A,T6CSF(J

2SA1020A,T6CSF(J

Solo per riferimento

Numero parte 2SA1020A,T6CSF(J
PNEDA Part # 2SA1020A-T6CSF-J
Descrizione TRANS PNP 2A 50V TO226-3
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.646
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Consegna stimata mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida)
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2SA1020A Risorse

Brand Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2SA1020A,T6CSF(J
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
2SA1020A, 2SA1020A Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 168,44 KB)
PDF2SA1020-Y Datasheet Copertura
2SA1020-Y Datasheet Pagina 2 2SA1020-Y Datasheet Pagina 3 2SA1020-Y Datasheet Pagina 4 2SA1020-Y Datasheet Pagina 5

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2SA1020A Specifiche

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
Tipo di transistorPNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)2A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)50V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic500mV @ 50mA, 1A
Corrente - Taglio collettore (Max)1µA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce70 @ 500mA, 2V
Potenza - Max900mW
Frequenza - Transizione100MHz
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-226-3, TO-92-3 Long Body
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-92MOD

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NXP

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

63 @ 150mA, 2V

Potenza - Max

830mW

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

MPS6717RLRA

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

80V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 10mA, 250mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 250mA, 1V

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

2SA1298-Y,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

800mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

25V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 20mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 100mA, 1V

Potenza - Max

200mW

Frequenza - Transizione

120MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

S-Mini

KSD1020YTA

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

700mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

25V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 70mA, 700mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 100mA, 1V

Potenza - Max

350mW

Frequenza - Transizione

170MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 Short Body

Pacchetto dispositivo fornitore

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Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 1mA, 6V

Potenza - Max

100mW

Frequenza - Transizione

500MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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