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2N7002V

2N7002V

Solo per riferimento

Numero parte 2N7002V
PNEDA Part # 2N7002V
Descrizione MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563F
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 22.296
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 19 - mag 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2N7002V Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2N7002V
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
2N7002V, 2N7002V Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 440,59 KB)
PDF2N7002VA Datasheet Copertura
2N7002VA Datasheet Pagina 2 2N7002VA Datasheet Pagina 3 2N7002VA Datasheet Pagina 4 2N7002VA Datasheet Pagina 5 2N7002VA Datasheet Pagina 6 2N7002VA Datasheet Pagina 7 2N7002VA Datasheet Pagina 8

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2N7002V Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C280mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds50pF @ 25V
Potenza - Max250mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-563F

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.6mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.35V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1380pF @ 15V

Potenza - Max

2.7W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DirectFET™ Isometric MA

Pacchetto dispositivo fornitore

DIRECTFET™ MA

CSD87384MT

Texas Instruments

Produttore

Serie

NexFET™

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

30A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.7mOhm @ 25A, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.9V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.2nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1150pF @ 15V

Potenza - Max

8W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

5-LGA

Pacchetto dispositivo fornitore

5-PTAB (5x3.5)

SSM6N35AFU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

250mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.1Ohm @ 150mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.34nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

36pF @ 10V

Potenza - Max

285mW (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

US6

DMC3021LK4-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel, Common Drain

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.4A, 6.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.4nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

751pF @ 10V

Potenza - Max

2.7W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252-4L

DMN32D4SDW-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

650mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

400mOhm @ 250mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.3nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 15V

Potenza - Max

290mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-363

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