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CY7C038V-20AXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 1.152M PARALLEL 100TQFP

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• Dimensione della memoria: 1.152Mb (64K x 18)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 20ns
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
• Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

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CY7C028V-20AXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• Dimensione della memoria: 1Mb (64K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 20ns
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
• Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

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CY7C028-15AXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• Dimensione della memoria: 1Mb (64K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 15ns
• Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
• Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

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CY7C019V-20AXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 1.152M PARALLEL 100TQFP

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• Dimensione della memoria: 1.152Mb (128K x 9)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 20ns
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
• Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

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CY7C009V-20AXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 20ns
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
• Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

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CY7C006A-20AXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 128K PARALLEL 64TQFP

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• Dimensione della memoria: 128Kb (16K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 20ns
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 64-LQFP
• Pacchetto dispositivo fornitore: 64-TQFP (14x14)

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DS1345ABP-70+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 1M PARALLEL 34PWRCAP

• Produttore: Maxim Integrated
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
• Tempo di accesso: 70ns
• Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 34-PowerCap™ Module
• Pacchetto dispositivo fornitore: 34-PowerCap Module

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CY7C1412AV18-167BZC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Synchronous, QDR II
• Dimensione della memoria: 36Mb (2M x 18)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 167MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (15x17)

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AT29LV020-10JU

Microchip Technology

Memoria

IC FLASH 2M PARALLEL 32PLCC

• Produttore: Microchip Technology
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH
• Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 20ms
• Tempo di accesso: 100ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 32-LCC (J-Lead)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 32-PLCC (13.97x11.43)

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AT49BV322DT-70TU

Microchip Technology

Memoria

IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP

• Produttore: Microchip Technology
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH
• Dimensione della memoria: 32Mb (2M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 120µs
• Tempo di accesso: 70ns
• Tensione - Alimentazione: 2.65V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP

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DS2433S+

Maxim Integrated

Memoria

IC EEPROM 4K 1WIRE 8SO

• Produttore: Maxim Integrated
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: EEPROM
• Tecnologia: EEPROM
• Dimensione della memoria: 4Kb (256 x 16)
• Interfaccia di memoria: 1-Wire®
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 2µs
• Tensione - Alimentazione: -
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO

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LH28F320SKTD-ZR

Sharp Microelectronics

Memoria

IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP

• Produttore: Sharp Microelectronics
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH
• Dimensione della memoria: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 120ns
• Tempo di accesso: 120ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP

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CY7C131-15JXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 8K PARALLEL 52PLCC

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• Dimensione della memoria: 8Kb (1K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 15ns
• Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 52-LCC (J-Lead)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 52-PLCC (19.13x19.13)

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CY7C0251-15AXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 144K PARALLEL 100TQFP

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• Dimensione della memoria: 144Kb (8K x 18)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 15ns
• Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
• Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

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CY7C019V-15AXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 1.152M PARALLEL 100TQFP

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• Dimensione della memoria: 1.152Mb (128K x 9)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 15ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
• Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

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CY7C006A-20AXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 128K PARALLEL 64TQFP

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• Dimensione della memoria: 128Kb (16K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 20ns
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 64-LQFP
• Pacchetto dispositivo fornitore: 64-TQFP (14x14)

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DS1265W-100IND

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP

• Produttore: Maxim Integrated
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 8Mb (1M x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 100ns
• Tempo di accesso: 100ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 36-EDIP

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M48Z128Y-70PM1

STMicroelectronics

Memoria

IC NVSRAM 1M PARALLEL 32PMDIP

• Produttore: STMicroelectronics
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
• Tempo di accesso: 70ns
• Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 32-PMDIP Module

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M24C02-WDW6T

STMicroelectronics

Memoria

IC EEPROM 2K I2C 400KHZ 8TSSOP

• Produttore: STMicroelectronics
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: EEPROM
• Tecnologia: EEPROM
• Dimensione della memoria: 2Kb (256 x 8)
• Interfaccia di memoria: I²C
• Frequenza di clock: 400kHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
• Tempo di accesso: 900ns
• Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP

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M58LW032D110N6

STMicroelectronics

Memoria

IC FLASH 32M PARALLEL 56TSOP

• Produttore: STMicroelectronics
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 110ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 56-TSOP (14x20)

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M28W320CB90N6

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 32Mb (2M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 90ns
• Tempo di accesso: 90ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP

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CY7C025-15AC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 128K PARALLEL 100TQFP

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• Dimensione della memoria: 128Kb (8K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 15ns
• Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
• Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

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FM93CS46M8

ON Semiconductor

Memoria

IC EEPROM 1K SPI 1MHZ 8SO

• Produttore: ON Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: EEPROM
• Tecnologia: EEPROM
• Dimensione della memoria: 1Kb (64 x 16)
• Interfaccia di memoria: SPI
• Frequenza di clock: 1MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ms
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO

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DS1270W-150

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP

• Produttore: Maxim Integrated
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 16Mb (2M x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 150ns
• Tempo di accesso: 150ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 36-EDIP

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DS1350YL-100

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 34LPM

• Produttore: Maxim Integrated
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 100ns
• Tempo di accesso: 100ns
• Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 34-LPM
• Pacchetto dispositivo fornitore: 34-LPM

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DS1265Y-70IND

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP

• Produttore: Maxim Integrated
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 8Mb (1M x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
• Tempo di accesso: 70ns
• Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 36-EDIP

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DS1265Y-70

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP

• Produttore: Maxim Integrated
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 8Mb (1M x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
• Tempo di accesso: 70ns
• Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 36-EDIP

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DS1265W-100

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP

• Produttore: Maxim Integrated
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 8Mb (1M x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 100ns
• Tempo di accesso: 100ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 36-EDIP

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DS1250Y-70IND

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

• Produttore: Maxim Integrated
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
• Tempo di accesso: 70ns
• Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 32-EDIP

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DS1250Y-70

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

• Produttore: Maxim Integrated
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
• Tempo di accesso: 70ns
• Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 32-EDIP

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