DS1270W-150
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| Numero parte | DS1270W-150 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | DS1270W-150 | ||||||||||||||||||
| Descrizione | IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP | ||||||||||||||||||
| Produttore | Maxim Integrated | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 47 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | mag 18 - mag 23 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * | ||||||||||||||||||
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DS1270W-150 Risorse
| Brand | Maxim Integrated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DS1270W-150 |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
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DS1270W-150 Specifiche
| Produttore | Maxim Integrated |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | NVSRAM |
| Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Dimensione della memoria | 16Mb (2M x 8) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 150ns |
| Tempo di accesso | 150ns |
| Tensione - Alimentazione | 3V ~ 3.6V |
| Temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 36-EDIP |
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Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria 1Mb (64K x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 20ns Tempo di accesso 20ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 44-TSOP II |
Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 16Kb (2K x 8) Interfaccia di memoria Single Wire Frequenza di clock 100kHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 5ms Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 2.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria 1Mb (64K x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 15ns Tempo di accesso 15ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 44-TSOP II |
