Infineon Technologies Transistor - JFET

Serie

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Tipo FET

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Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

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Corrente assorbita (Id) - Max

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Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

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Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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Resistenza - RDS (On)

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Potenza - Max

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Temperatura di esercizio

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Pacchetto / Custodia

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CategoriaSemiconduttori / Transistor / Transistor - JFET

ProduttoreInfineon Technologies

Record 2

Pagina 1/1

Immagine	Numero parte	Produttore	Descrizione	Disponibile	Quantità	Serie	Tipo FET	Tensione - Guasto (V (BR) GSS)	Tensione Drain to Source (Vdss)	Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)	Corrente assorbita (Id) - Max	Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Resistenza - RDS (On)	Potenza - Max	Temperatura di esercizio	Tipo di montaggio	Pacchetto / Custodia	Pacchetto dispositivo fornitore
	IJW120R070T1FKSA1	Infineon Technologies	JFET N-CHAN 35A TO247-3	8.154		-	N-Channel	-	1200V	3.3µA @ 1200V	35A	-	2000pF @ 19.5V (VGS)	70 mOhms	238W	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-247-3	PG-TO247-3
	IJW120R100T1FKSA1	Infineon Technologies	JFET N-CHAN 26A TO247-3	4.950		-	N-Channel	-	1200V	1.5µA @ 1200V	26A	-	1550pF @ 19.5V (VGS)	100 mOhms	190W	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-247-3	PG-TO247-3

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