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IJW120R070T1FKSA1

IJW120R070T1FKSA1

Solo per riferimento

Numero parte IJW120R070T1FKSA1
PNEDA Part # IJW120R070T1FKSA1
Descrizione JFET N-CHAN 35A TO247-3
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.154
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 17 - mag 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IJW120R070T1FKSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIJW120R070T1FKSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - JFET
Datasheet
IJW120R070T1FKSA1, IJW120R070T1FKSA1 Datasheet (Totale pagine: 20, Dimensioni: 1.263,8 KB)
PDFIJW120R070T1FKSA1 Datasheet Copertura
IJW120R070T1FKSA1 Datasheet Pagina 2 IJW120R070T1FKSA1 Datasheet Pagina 3 IJW120R070T1FKSA1 Datasheet Pagina 4 IJW120R070T1FKSA1 Datasheet Pagina 5 IJW120R070T1FKSA1 Datasheet Pagina 6 IJW120R070T1FKSA1 Datasheet Pagina 7 IJW120R070T1FKSA1 Datasheet Pagina 8 IJW120R070T1FKSA1 Datasheet Pagina 9 IJW120R070T1FKSA1 Datasheet Pagina 10 IJW120R070T1FKSA1 Datasheet Pagina 11

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IJW120R070T1FKSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo FETN-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS)-
Tensione Drain to Source (Vdss)1200V
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)3.3µA @ 1200V
Corrente assorbita (Id) - Max35A
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2000pF @ 19.5V (VGS)
Resistenza - RDS (On)70 mOhms
Potenza - Max238W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO247-3

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Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

40V

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

175mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

10V @ 500pA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

18pF @ 10V

Resistenza - RDS (On)

25 Ohms

Potenza - Max

360mW

Temperatura di esercizio

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Pacchetto / Custodia

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Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

25V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

12mA @ 10V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

1V @ 1nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5pF @ 10V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo FET

-

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

24mA @ 10V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

2V @ 1nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5pF @ 10V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

210µA @ 2V

Corrente assorbita (Id) - Max

1mA

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

1V @ 1µA

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