Infineon Technologies Transistor - FET, MOSFET - Array

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

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Rds On (Max) @ Id, Vgs

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Vgs (th) (Max) @ Id

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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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CategoriaSemiconduttori / Transistor / Transistor - FET, MOSFET - Array

ProduttoreInfineon Technologies

Record 393

Pagina 14/14

Numero parte	Produttore	Descrizione	Disponibile	Serie	Tipo FET	Funzione FET	Tensione Drain to Source (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs (th) (Max) @ Id	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Potenza - Max	Temperatura di esercizio	Tipo di montaggio	Pacchetto / Custodia	Pacchetto dispositivo fornitore
DF23MR12W1M1B11BOMA1	Infineon Technologies	MOSFET MODULE 1200V 25A	2.610	CoolSiC™+	2 N-Channel (Dual)	Silicon Carbide (SiC)	1200V (1.2kV)	25A	45mOhm @ 25A, 15V	5.5V @ 10mA	620nC @ 15V	2000pF @ 800V	20mW	-40°C ~ 150°C (TJ)	Chassis Mount	Module	Module
IRF7331TRPBF-1	Infineon Technologies	MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC	6.318	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IRF7904TRPBF-1	Infineon Technologies	MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8-SOIC	7.776	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-

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