Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
STL7NM60N STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 5.8A POWERFLAT Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 363pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 68W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 14-PowerFLAT™ (5x5) Pacchetto / Custodia: 14-PowerVQFN	Disponibile8.388
STL80N3LLH6 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 21A POWERFLAT Produttore: STMicroelectronics Serie: DeepGATE™, STripFET™ VI Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 10.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1690pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 60W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerFlat™ (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile3.546
STL80N4LLF3 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 80A POWERFLAT6X5 Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2530pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 80W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerFlat™ (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile8.712
STL80N75F6 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 75V 18A POWERFLAT56 Produttore: STMicroelectronics Serie: DeepGATE™, STripFET™ VI Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 75V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7120pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 80W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerFlat™ (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile5.544
STL85N6F3 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 85A POWERFLAT5X6 Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 85A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 80W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerFlat™ (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile2.304
STL86N3LLH6AG STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 80A PWRFLAT56 Produttore: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ H6 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 10.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2030pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 4W (Ta), 60W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerFlat™ (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile2.340
STL8DN6LF6AG STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 32A POWERFLAT Produttore: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 32A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 9.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 4.8W (Ta), 55W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerFlat™ (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile121.686
STL8N10F7 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 8A 8POWERFLAT Produttore: STMicroelectronics Serie: DeepGATE™, STripFET™ VII Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.5W (Ta), 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerFlat™ (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile5.616
STL8N10LF3 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 100V 20A PWRFLT5X6 Produttore: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 970pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 4.3W (Ta), 70W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerFlat™ (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile3.258
STL8N65M2 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 5A PWRFLAT56 HV Produttore: STMicroelectronics Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile5.994
STL8N65M5 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 7A POWERFLAT Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ V Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.4A (Ta), 7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 70W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerFLAT™ (5x5) Pacchetto / Custodia: 14-PowerVQFN	Disponibile2.178
STL8N6F7 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET NCH 60V 36A POWERFLAT Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ F7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 36A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3W (Ta), 60W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerFlat™ (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile3.186
STL8N6LF3 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 20A POWERFLAT Produttore: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F3 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 668pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 65W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerFlat™ (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile4.734
STL8N6LF6AG STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 32A POWERFLAT Produttore: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 32A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 9.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 4.8W (Ta), 55W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerFlat™ (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile6.714
STL8N80K5 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 4.5A 8PWRFLAT Produttore: STMicroelectronics Serie: SuperMESH5™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 42W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerFlat™ (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile3.816
STL8NH3LL STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 8A PWRFLAT3.3SQ Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±18V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 965pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta), 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerFlat™ (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile93.576
STL8P2UH7 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 8A POWERFLAT22 Produttore: STMicroelectronics Serie: DeepGATE™, STripFET™ VII Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2390pF @ 16V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.4W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerFlat™ (2x2) Pacchetto / Custodia: 6-PowerWDFN	Disponibile27.510
STL8P4LLF6 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 40V 8A PWRFLAT8 Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ F6 Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2850pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.9W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerFlat™ (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile75.738
STL90N10F7 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V POWERFLAT5X6 Produttore: STMicroelectronics Serie: DeepGATE™, STripFET™ VII Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 70A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3550pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 5W (Ta), 100W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerFlat™ (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile27.966
STL90N3LLH6 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 24A POWERFLAT5X6 Produttore: STMicroelectronics Serie: DeepGATE™, STripFET™ VI Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1690pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 60W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerFlat™ (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile7.866
STL90N6F7 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 90A F7 8PWRFLAT Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ F7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 4.8W (Ta), 94W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerFlat™ (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile8.730
STL92N10F7AG STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 16A POWERFLAT Produttore: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5Ohm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3100pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 5W (Ta), 100W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerFlat™ (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile3.078
STL9N3LLH5 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 9A POWERFLAT Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ V Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±22V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 724pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta), 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerFlat™ (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile8.928
STL9N60M2 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 4.8A PWRFLAT56 Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ II Plus Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 860mOhm @ 2.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 48W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerFlat™ (5x6) HV Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile3.454
STL9N65M2 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X5 H Produttore: STMicroelectronics Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile5.310
STL9N80K5 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 7A POWERFLAT Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ K5 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 110W (Tc) Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerFlat™ (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile6.606
STL9P2UH7 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 9A POWERFLAT Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 4.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2390pF @ 16V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.9W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerFlat™ (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile22.818
STL9P3LLH6 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET PCH 30V 9A POWERFLAT Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ H6 Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2615pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerFlat™ (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile8.334
STLD125N4F6AG STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ F6 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5600pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 130W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerFlat™ (5x6) Dual Side Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile8.100
STLD200N4F6AG STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT Produttore: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10700pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 158W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerFlat™ (5x6) Dual Side Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile4.050

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