STLD200N4F6AG
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| Numero parte | STLD200N4F6AG |
| PNEDA Part # | STLD200N4F6AG |
| Descrizione | MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT |
| Produttore | STMicroelectronics |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.050 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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STLD200N4F6AG Risorse
| Brand | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | STLD200N4F6AG |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
STLD200N4F6AG, STLD200N4F6AG Datasheet
(Totale pagine: 12, Dimensioni: 696,92 KB)
  
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STLD200N4F6AG Specifiche
| Produttore | STMicroelectronics |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 6.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5mOhm @ 75A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 172nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 10700pF @ 10V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 158W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerFlat™ (5x6) Dual Side |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerWDFN |
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