Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

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Pagina 1248/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
GKI03080 Sanken	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 26A 8DFN Produttore: Sanken Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 40W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile2.214
GKI04031 Sanken	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 17A 8DFN Produttore: Sanken Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 51A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.2nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3910pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 77W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile8.964
GKI04048 Sanken	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 14A 8DFN Produttore: Sanken Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 35.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 650µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2410pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 59W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile8.730
GKI04076 Sanken	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 11A 8DFN Produttore: Sanken Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 23.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 350µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.9nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1470pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 46W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile8.784
GKI04101 Sanken	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 9A 8DFN Produttore: Sanken Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 18.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 990pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 40W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile2.484
GKI06071 Sanken	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 11A 8DFN Produttore: Sanken Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 34A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.6nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3810pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 77W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile3.438
GKI06109 Sanken	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 9A 8DFN Produttore: Sanken Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 23.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 650µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2520pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 59W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile6.570
GKI06185 Sanken	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 7A 8DFN Produttore: Sanken Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 350µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.7nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 46W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile3.762
GKI06259 Sanken	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 6A 8DFN Produttore: Sanken Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 40W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile6.714
GKI07113 Sanken	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 75V 9A 8DFN Produttore: Sanken Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 75V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 27.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4040pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 77W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile3.690
GKI07174 Sanken	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 75V 26A 8DFN Produttore: Sanken Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 75V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta), 26A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 18.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 650µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2520pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 59W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile5.022
GKI07301 Sanken	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 75V 6A 8DFN Produttore: Sanken Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 75V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.2mOhm @ 12.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 350µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1580pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 46W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile2.538
GKI10194 Sanken	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 7A 8DFN Produttore: Sanken Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 20.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55.8nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3990pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 77W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile6.408
GKI10301 Sanken	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 5A 8DFN Produttore: Sanken Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 14.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 650µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.8nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2540pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 59W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile7.722
GKI10526 Sanken	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 4A 8DFN Produttore: Sanken Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47.7mOhm @ 9.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 350µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1530pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 46W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile2.214
GP1M003A040CG Global Power Technologies Group	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 400V 2A DPAK Produttore: Global Power Technologies Group Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 400V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 30W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile2.160
GP1M003A040PG Global Power Technologies Group	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 400V 2A IPAK Produttore: Global Power Technologies Group Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 400V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 30W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I-PAK Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile8.694
GP1M003A050CG Global Power Technologies Group	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK Produttore: Global Power Technologies Group Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 1.25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 52W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile7.650
GP1M003A050FG Global Power Technologies Group	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F Produttore: Global Power Technologies Group Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 1.25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 17.3W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220F Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile5.418
GP1M003A050HG Global Power Technologies Group	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220 Produttore: Global Power Technologies Group Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 1.25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 52.1W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile4.986
GP1M003A050PG Global Power Technologies Group	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK Produttore: Global Power Technologies Group Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 1.25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 52W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I-PAK Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile8.928
GP1M003A080CH Global Power Technologies Group	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 3A DPAK Produttore: Global Power Technologies Group Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 696pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 94W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252, (D-Pak) Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile8.496
GP1M003A080FH Global Power Technologies Group	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 3A TO220F Produttore: Global Power Technologies Group Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 696pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 32W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220F Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile8.550
GP1M003A080H Global Power Technologies Group	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 3A TO220 Produttore: Global Power Technologies Group Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 696pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 94W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile3.508
GP1M003A080PH Global Power Technologies Group	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 3A IPAK Produttore: Global Power Technologies Group Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 696pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 94W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I-PAK Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile3.870
GP1M003A090C Global Power Technologies Group	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK Produttore: Global Power Technologies Group Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 900V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1Ohm @ 1.25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 748pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 94W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile3.726
GP1M003A090PH Global Power Technologies Group	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK Produttore: Global Power Technologies Group Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 900V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1Ohm @ 1.25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 748pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 94W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I-PAK Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile8.154
GP1M004A090FH Global Power Technologies Group	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 900V 4A TO220F Produttore: Global Power Technologies Group Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 900V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 955pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 38.7W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220F Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile4.734
GP1M004A090H Global Power Technologies Group	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 900V 4A TO220 Produttore: Global Power Technologies Group Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 900V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 955pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 123W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile4.824
GP1M005A040CG Global Power Technologies Group	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK Produttore: Global Power Technologies Group Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 400V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 1.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 522pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile6.084

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