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GKI07301

GKI07301

Solo per riferimento

Numero parte GKI07301
PNEDA Part # GKI07301
Descrizione MOSFET N-CH 75V 6A 8DFN
Produttore Sanken
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Disponibile 2.538
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 19 - mag 24 (Scegli Spedizione rapida)
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GKI07301 Risorse

Brand Sanken
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteGKI07301
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
GKI07301, GKI07301 Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 594,44 KB)
PDFGKI07301 Datasheet Copertura
GKI07301 Datasheet Pagina 2 GKI07301 Datasheet Pagina 3 GKI07301 Datasheet Pagina 4 GKI07301 Datasheet Pagina 5 GKI07301 Datasheet Pagina 6 GKI07301 Datasheet Pagina 7 GKI07301 Datasheet Pagina 8

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GKI07301 Specifiche

ProduttoreSanken
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)75V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs23.2mOhm @ 12.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 350µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1580pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)3.1W (Ta), 46W (Tc)
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-DFN (5x6)
Pacchetto / Custodia8-PowerTDFN

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.1A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3Ohm @ 1.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

360pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

30W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

DMJ70H1D3SJ3

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

700V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.6A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.3Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13.9nC @ 10V

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

351pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

41W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 155°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-251

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

SI4102DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.8A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

158mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

370pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.4W (Ta), 4.8W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IRF9620STRLPBF

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.5A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3W (Ta), 40W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8.8A (Ta), 58.5A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 11.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.95mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 11.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 12V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

870mW (Ta), 38.5W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN, 5 Leads

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