Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
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Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
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Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
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Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
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Numero parte	Descrizione	Disponibile
APT1002RBNG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1000V 8A TO247AD Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS IV® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1000V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 240W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AD Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile6.066
APT10035B2LLG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1000V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 28A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5185pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 690W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: T-MAX™ [B2] Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Variant	Disponibile4.482
APT10035JLL Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1000V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5185pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 520W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: ISOTOP® Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile8.010
APT1003RBLLG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1000V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 694pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 139W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B] Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile2.100
APT1003RKLLG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1000V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 694pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 139W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 [K] Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile5.994
APT10045B2LLG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1000V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 23A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 11.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4350pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 565W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: T-MAX™ [B2] Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Variant	Disponibile8.982
APT10045JLL Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1000V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 21A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 11.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4350pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 460W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: ISOTOP® Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile3.618
APT10078BLLG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1000V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2525pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 403W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B] Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile4.032
APT10078SLLG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1000V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2525pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 403W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D3 [S] Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile3.544
APT10090BLLG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1000V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1969pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 298W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B] Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile6.024
APT100F50J Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 103A SOT227 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 103A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 24600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 960W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: ISOTOP® Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile4.572
APT100M50J Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 103A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 24600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 960W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227 Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile4.122
APT100MC120JCU2 Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: SiCFET (Silicon Carbide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 143A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 100A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360nC @ 20V Vgs (massimo): +25V, -10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5960pF @ 1000V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 600W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227 Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile7.110
APT106N60B2C6 Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 106A TO-247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 106A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 53A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 308nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8390pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 833W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: T-MAX™ [B2] Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Variant	Disponibile7.146
APT10M07JVR Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS V® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 225A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1050nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 21600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: ISOTOP® Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile7.866
APT10M09B2VFRG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS V® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9875pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 625W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: T-MAX™ [B2] Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Variant	Disponibile8.424
APT10M11B2VFRG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS V® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10300pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 520W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: T-MAX™ Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Variant	Disponibile5.400
APT10M11JVR Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS V® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 144A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10300pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 450W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: ISOTOP® Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile7.452
APT10M11JVRU2 Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 142A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 71A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 450W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227 Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile7.056
APT10M11JVRU3 Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 142A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 71A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 450W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227 Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile4.716
APT11F80B Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2471pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 337W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B] Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile4.086
APT11F80S Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2471pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 337W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D3Pak Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile6.156
APT11N80BC3G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1585pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 156W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B] Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile8.208
APT11N80KC3G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 Produttore: Microsemi Corporation Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1585pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 156W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 [K] Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile8.280
APT1201R4BFLLG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2030pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B] Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile3.834
APT12031JFLL Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 365nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9480pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 690AW (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: ISOTOP® Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile5.453
APT1204R7BFLLG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1.75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 715pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 135W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B] Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile9.228
APT1204R7KFLLG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-220 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1.75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 715pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 135W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 [K] Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile2.700
APT12057B2LLG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 22A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6200pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 690W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: T-MAX™ [B2] Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile4.716
APT12057JLL Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 19A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6200pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 520W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227 Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile4.554

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