APT10035B2LLG
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| Numero parte | APT10035B2LLG |
| PNEDA Part # | APT10035B2LLG |
| Descrizione | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.482 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 24 - giu 29 (Scegli Spedizione rapida) |
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APT10035B2LLG Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APT10035B2LLG |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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APT10035B2LLG Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | POWER MOS 7® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 1000V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 28A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 14A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 186nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5185pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 690W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | T-MAX™ [B2] |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 Variant |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8.4A (Ta), 68A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2400pF @ 24V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1.04W (Ta), 75W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore DPAK Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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