Circuiti integrati di memoria

IS61WV51216EEBLL-10B2LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 48TFBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
• Tempo di accesso: 10ns
• Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TFBGA (6x8)

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IS61WV51216EEBLL-10B2LI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 48TFBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
• Tempo di accesso: 10ns
• Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TFBGA (6x8)

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IS61WV51216EEBLL-10BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 48TFBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
• Tempo di accesso: 10ns
• Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TFBGA (6x8)

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IS61WV51216EEBLL-10BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 48TFBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
• Tempo di accesso: 10ns
• Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TFBGA (6x8)

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IS61WV51216EEBLL-10T2LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 48TSOP I

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
• Tempo di accesso: 10ns
• Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP I

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IS61WV51216EEBLL-10T2LI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 48TSOP I

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
• Tempo di accesso: 10ns
• Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP I

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IS61WV51216EEBLL-10TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
• Tempo di accesso: 10ns
• Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

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IS61WV51232BLL-10BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 16M PARALLEL 90FBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 16Mb (512K x 32)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
• Tempo di accesso: 10ns
• Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)

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IS61WV51232BLL-10BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 16M PARALLEL 90FBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 16Mb (512K x 32)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
• Tempo di accesso: 10ns
• Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)

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IS61WV5128BLL-10BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 36TFBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
• Tempo di accesso: 10ns
• Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 36-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 36-TFBGA (6x8)

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IS61WV5128BLL-10BI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 36TFBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
• Tempo di accesso: 10ns
• Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 36-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 36-TFBGA (6x8)

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IS61WV5128BLL-10BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 36MINIBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
• Tempo di accesso: 10ns
• Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 36-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 36-TFBGA (6x8)

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IS61WV5128BLL-10BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 36MINIBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
• Tempo di accesso: 10ns
• Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 36-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 36-TFBGA (6x8)

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IS61WV5128BLL-10KLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
• Tempo di accesso: 10ns
• Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ

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IS61WV5128BLL-10KLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
• Tempo di accesso: 10ns
• Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ

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IS61WV5128BLL-10TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
• Tempo di accesso: 10ns
• Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

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IS61WV5128BLL-10TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
• Tempo di accesso: 10ns
• Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

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IS61WV5128BLS-25TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 25ns
• Tempo di accesso: 25ns
• Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

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IS61WV5128BLS-25TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 25ns
• Tempo di accesso: 25ns
• Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

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IS61WV5128EDBLL-10BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 36TFBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
• Tempo di accesso: 10ns
• Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 36-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 36-TFBGA (6x8)

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IS61WV5128EDBLL-10BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 36TFBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
• Tempo di accesso: 10ns
• Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 36-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 36-TFBGA (6x8)

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IS61WV5128EDBLL-10KLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
• Tempo di accesso: 10ns
• Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ

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IS61WV5128EDBLL-10KLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
• Tempo di accesso: 10ns
• Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ

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IS61WV5128EDBLL-10TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
• Tempo di accesso: 10ns
• Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

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IS61WV5128EDBLL-10TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
• Tempo di accesso: 10ns
• Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

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IS61WV6416BLL-12BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 48MINIBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 1Mb (64K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
• Tempo di accesso: 12ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-miniBGA (6x8)

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IS61WV6416BLL-12BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 48MINIBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 1Mb (64K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
• Tempo di accesso: 12ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-miniBGA (6x8)

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IS61WV6416BLL-12KLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 1Mb (64K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
• Tempo di accesso: 12ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 44-SOJ

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IS61WV6416BLL-12KLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 1Mb (64K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
• Tempo di accesso: 12ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 44-SOJ

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IS61WV6416BLL-12TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 1Mb (64K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
• Tempo di accesso: 12ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

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