Circuiti integrati di memoria

Numero parte	Descrizione	Disponibile
IS61WV25616EDBLL-8TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2 Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 8ns Tempo di accesso: 8ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile7.200
IS61WV25616EDBLL-8TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2 Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 8ns Tempo di accesso: 8ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile3.276
IS61WV25632BLL-10BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 90TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (256K x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)	Disponibile2.034
IS61WV25632BLL-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 90TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (256K x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)	Disponibile7.380
IS61WV2568EDBLL-10BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 2M PARALLEL 36MBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 36-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 36-TFBGA (6x8)	Disponibile3.168
IS61WV2568EDBLL-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 2M PARALLEL 36MBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 36-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 36-TFBGA (6x8)	Disponibile7.020
IS61WV2568EDBLL-10KLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 2M PARALLEL 36SOJ Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ	Disponibile3.420
IS61WV2568EDBLL-10KLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 2M PARALLEL 36SOJ Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ	Disponibile4.014
IS61WV2568EDBLL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP2 Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile3.708
IS61WV2568EDBLL-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP2 Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile6.264
IS61WV3216BLL-12TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 512K PARALLEL 44TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 512Kb (32K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns Tempo di accesso: 12ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile873
IS61WV3216BLL-12TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 512K PARALLEL 44TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 512Kb (32K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns Tempo di accesso: 12ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile5.904
IS61WV3216DBLL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 512K PARALLEL 44TSOP2 Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 512Kb (32K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile4.608
IS61WV3216DBLL-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 512K PARALLEL 44TSOP2 Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 512Kb (32K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile5.238
IS61WV51216BLL-10MLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 48MINIBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 48-miniBGA (9x11)	Disponibile588
IS61WV51216BLL-10MLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 48MINIBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 48-miniBGA (9x11)	Disponibile6.768
IS61WV51216BLL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile29.659
IS61WV51216BLL-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile6.264
IS61WV51216EDALL-20BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 48MGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 20ns Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 2.2V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TFBGA (6x8)	Disponibile3.526
IS61WV51216EDALL-20BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 48MGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 20ns Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 2.2V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TFBGA (6x8)	Disponibile6.408
IS61WV51216EDALL-20TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 20ns Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 2.2V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile8.478
IS61WV51216EDALL-20TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 20ns Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 2.2V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile6.714
IS61WV51216EDBLL-10BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 48TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 48-miniBGA (6x8)	Disponibile10.308
IS61WV51216EDBLL-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 48TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 48-miniBGA (6x8)	Disponibile5.130
IS61WV51216EDBLL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP2 Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile12.245
IS61WV51216EDBLL-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP2 Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile8.748
IS61WV51216EDBLL-8BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 48TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 8ns Tempo di accesso: 8ns Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 48-miniBGA (6x8)	Disponibile3.618
IS61WV51216EDBLL-8BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 48TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 8ns Tempo di accesso: 8ns Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 48-miniBGA (6x8)	Disponibile6.138
IS61WV51216EDBLL-8TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP2 Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 8ns Tempo di accesso: 8ns Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile636
IS61WV51216EDBLL-8TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP2 Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 8ns Tempo di accesso: 8ns Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile2.610

IS61WV25616EDBLL-8TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 8ns
Tempo di accesso: 8ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile7.200

IS61WV25616EDBLL-8TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 8ns
Tempo di accesso: 8ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile3.276

IS61WV25632BLL-10BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 90TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (256K x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)

Disponibile2.034

IS61WV25632BLL-10BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 90TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (256K x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)

Disponibile7.380

IS61WV2568EDBLL-10BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 36MBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 36-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 36-TFBGA (6x8)

Disponibile3.168

IS61WV2568EDBLL-10BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 36MBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 36-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 36-TFBGA (6x8)

Disponibile7.020

IS61WV2568EDBLL-10KLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 36SOJ

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ

Disponibile3.420

IS61WV2568EDBLL-10KLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 36SOJ

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ

Disponibile4.014

IS61WV2568EDBLL-10TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP2

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile3.708

IS61WV2568EDBLL-10TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP2

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile6.264

IS61WV3216BLL-12TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 512K PARALLEL 44TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 512Kb (32K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
Tempo di accesso: 12ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile873

IS61WV3216BLL-12TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 512K PARALLEL 44TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 512Kb (32K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
Tempo di accesso: 12ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile5.904

IS61WV3216DBLL-10TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 512K PARALLEL 44TSOP2

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 512Kb (32K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile4.608

IS61WV3216DBLL-10TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 512K PARALLEL 44TSOP2

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 512Kb (32K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile5.238

IS61WV51216BLL-10MLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 48MINIBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-miniBGA (9x11)

Disponibile588

IS61WV51216BLL-10MLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 48MINIBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-miniBGA (9x11)

Disponibile6.768

IS61WV51216BLL-10TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile29.659

IS61WV51216BLL-10TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile6.264

IS61WV51216EDALL-20BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 48MGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 20ns
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 2.2V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TFBGA (6x8)

Disponibile3.526

IS61WV51216EDALL-20BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 48MGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 20ns
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 2.2V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TFBGA (6x8)

Disponibile6.408

IS61WV51216EDALL-20TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 20ns
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 2.2V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile8.478

IS61WV51216EDALL-20TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 20ns
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 2.2V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile6.714

IS61WV51216EDBLL-10BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 48TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-miniBGA (6x8)

Disponibile10.308

IS61WV51216EDBLL-10BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 48TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-miniBGA (6x8)

Disponibile5.130

IS61WV51216EDBLL-10TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP2

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile12.245

IS61WV51216EDBLL-10TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP2

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile8.748

IS61WV51216EDBLL-8BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 48TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 8ns
Tempo di accesso: 8ns
Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-miniBGA (6x8)

Disponibile3.618

IS61WV51216EDBLL-8BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 48TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 8ns
Tempo di accesso: 8ns
Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-miniBGA (6x8)

Disponibile6.138

IS61WV51216EDBLL-8TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP2

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 8ns
Tempo di accesso: 8ns
Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile636

IS61WV51216EDBLL-8TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP2

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 8ns
Tempo di accesso: 8ns
Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile2.610

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