Circuiti integrati di memoria

IS49FL004T-33VCE

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC FLASH 4M PARALLEL 32VSOP

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH
• Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 33MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 120ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 32-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 32-VSOP

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IS49NLC18160-25B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: DRAM
• Dimensione della memoria: 288Mb (16M x 18)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 400MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 144-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC18160-25BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: DRAM
• Dimensione della memoria: 288Mb (16M x 18)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 400MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 144-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC18160-25BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: DRAM
• Dimensione della memoria: 288Mb (16M x 18)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 400MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 144-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC18160-25BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: DRAM
• Dimensione della memoria: 288Mb (16M x 18)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 400MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 144-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC18160-25WBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 288M PARALLEL 400MHZ

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: DRAM
• Dimensione della memoria: 288Mb (16M x 18)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 400MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 144-TBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 144-TWBGA (11x18.5)

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IS49NLC18160-33B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: DRAM
• Dimensione della memoria: 288Mb (16M x 18)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 300MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 144-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC18160-33BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: DRAM
• Dimensione della memoria: 288Mb (16M x 18)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 300MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 144-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC18160-33BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 288M PARALLEL 144TWBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: DRAM
• Dimensione della memoria: 288Mb (16M x 18)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 300MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 144-TBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 144-TWBGA (11x18.5)

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IS49NLC18160-33BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 288M PARALLEL 144TWBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: DRAM
• Dimensione della memoria: 288Mb (16M x 18)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 300MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 144-TBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 144-TWBGA (11x18.5)

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IS49NLC18160-33WBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 288M PARALLEL 300MHZ

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: DRAM
• Dimensione della memoria: 288Mb (16M x 18)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 300MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 144-TBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 144-TWBGA (11x18.5)

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IS49NLC18320-25B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: DRAM
• Dimensione della memoria: 576Mb (32M x 18)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 400MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 144-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC18320-25BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: DRAM
• Dimensione della memoria: 576Mb (32M x 18)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 400MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 144-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC18320-25BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: DRAM
• Dimensione della memoria: 576Mb (32M x 18)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 400MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 144-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC18320-25BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: DRAM
• Dimensione della memoria: 576Mb (32M x 18)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 400MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 144-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC18320-25EBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: DRAM
• Dimensione della memoria: 576Mb (32M x 18)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 400MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 15ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 144-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC18320-25EBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: DRAM
• Dimensione della memoria: 576Mb (32M x 18)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 400MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 15ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 144-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC18320-33B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: DRAM
• Dimensione della memoria: 576Mb (32M x 18)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 300MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 144-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC18320-33BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: DRAM
• Dimensione della memoria: 576Mb (32M x 18)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 300MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 144-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC18320-33BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: DRAM
• Dimensione della memoria: 576Mb (32M x 18)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 300MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 144-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC18320-33BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: DRAM
• Dimensione della memoria: 576Mb (32M x 18)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 300MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 144-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC18320A-25WBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 576M PARALLEL 400MHZ

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: DRAM
• Dimensione della memoria: 576Mb (32M x 18)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 400MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 144-TBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 144-TWBGA (11x18.5)

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IS49NLC18320A-33WBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 576M PARALLEL 300MHZ

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: DRAM
• Dimensione della memoria: 576Mb (32M x 18)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 300MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 144-TBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 144-TWBGA (11x18.5)

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IS49NLC36160-25B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: DRAM
• Dimensione della memoria: 576Mb (16M x 36)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 400MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 144-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC36160-25BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: DRAM
• Dimensione della memoria: 576Mb (16M x 36)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 400MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 144-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC36160-25BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: DRAM
• Dimensione della memoria: 576Mb (16M x 36)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 400MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 144-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC36160-25BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: DRAM
• Dimensione della memoria: 576Mb (16M x 36)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 400MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 144-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC36160-25EBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: DRAM
• Dimensione della memoria: 576Mb (16M x 36)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 400MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 15ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 144-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC36160-33B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: DRAM
• Dimensione della memoria: 576Mb (16M x 36)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 300MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 144-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC36160-33BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: DRAM
• Dimensione della memoria: 576Mb (16M x 36)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 300MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 144-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 144-FCBGA (11x18.5)

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