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IS49NLC18160-25B

IS49NLC18160-25B

Solo per riferimento

Numero parte IS49NLC18160-25B
PNEDA Part # IS49NLC18160-25B
Descrizione IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.376
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 23 - mag 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS49NLC18160-25B Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS49NLC18160-25B
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS49NLC18160-25B, IS49NLC18160-25B Datasheet (Totale pagine: 34, Dimensioni: 1.038,12 KB)
PDFIS49NLS18160-33WBLI Datasheet Copertura
IS49NLS18160-33WBLI Datasheet Pagina 2 IS49NLS18160-33WBLI Datasheet Pagina 3 IS49NLS18160-33WBLI Datasheet Pagina 4 IS49NLS18160-33WBLI Datasheet Pagina 5 IS49NLS18160-33WBLI Datasheet Pagina 6 IS49NLS18160-33WBLI Datasheet Pagina 7 IS49NLS18160-33WBLI Datasheet Pagina 8 IS49NLS18160-33WBLI Datasheet Pagina 9 IS49NLS18160-33WBLI Datasheet Pagina 10 IS49NLS18160-33WBLI Datasheet Pagina 11

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  • IS49NLC18160-25B Distributor

IS49NLC18160-25B Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaDRAM
Dimensione della memoria288Mb (16M x 18)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso20ns
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia144-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore144-FCBGA (11x18.5)

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Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

400ps

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

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Formato memoria

FLASH

Tecnologia

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

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Tempo di accesso

96ns

Tensione - Alimentazione

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

128Mb (8M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

167MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

12ns

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Serie

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Tipo di memoria

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Formato memoria

-

Tecnologia

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Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

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