Circuiti integrati di memoria

Numero parte	Descrizione	Disponibile
IS43LR32800F-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)	Disponibile6.984
IS43LR32800F-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)	Disponibile7.848
IS43LR32800F-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)	Disponibile3.762
IS43LR32800G-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)	Disponibile3.366
IS43LR32800G-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)	Disponibile8.568
IS43LR32800G-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)	Disponibile2.304
IS43LR32800G-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)	Disponibile2.178
IS43QR16256A-083RBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 96BGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR4 Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 1.2GHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)	Disponibile8.424
IS43QR16256A-083RBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 96BGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR4 Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 1.2GHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)	Disponibile8.766
IS43QR16256A-083RBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR4 Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 1.2GHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)	Disponibile2.988
IS43QR16256A-083RBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR4 Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 1.2GHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)	Disponibile3.618
IS43QR16256A-093PBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR4 Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 1.066GHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)	Disponibile2.700
IS43QR16256A-093PBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 96BGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR4 Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 1.05GHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)	Disponibile8.172
IS43QR16256A-093PBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR4 Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 1.066GHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)	Disponibile7.182
IS43QR16256A-093PBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR4 Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 1.066GHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)	Disponibile7.470
IS43QR16256B-083RBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria 4G DDR4 256MX16 BGA(96) Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR4 Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 1.2GHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-BGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-BGA	Disponibile5.760
IS43QR16256B-083RBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria 4G DDR4 256MX16 BGA(96) Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR4 Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 1.2GHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-BGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-BGA	Disponibile7.218
IS43R16160B-5TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II	Disponibile5.850
IS43R16160B-5TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II	Disponibile5.328
IS43R16160B-5TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II	Disponibile6.660
IS43R16160B-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II	Disponibile3.042
IS43R16160B-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II	Disponibile5.940
IS43R16160B-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II	Disponibile3.762
IS43R16160B-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II	Disponibile4.446
IS43R16160D-5BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (8x13)	Disponibile8.640
IS43R16160D-5BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (8x13)	Disponibile4.878
IS43R16160D-5BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (8x13)	Disponibile3.834
IS43R16160D-5BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (8x13)	Disponibile4.356
IS43R16160D-5TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II	Disponibile8.982
IS43R16160D-5TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II	Disponibile4.788

IS43LR32800F-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)

Disponibile6.984

IS43LR32800F-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)

Disponibile7.848

IS43LR32800F-6BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)

Disponibile3.762

IS43LR32800G-6BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)

Disponibile3.366

IS43LR32800G-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)

Disponibile8.568

IS43LR32800G-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)

Disponibile2.304

IS43LR32800G-6BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)

Disponibile2.178

IS43QR16256A-083RBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 96BGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR4
Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 1.2GHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)

Disponibile8.424

IS43QR16256A-083RBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 96BGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR4
Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 1.2GHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)

Disponibile8.766

IS43QR16256A-083RBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR4
Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 1.2GHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)

Disponibile2.988

IS43QR16256A-083RBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR4
Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 1.2GHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)

Disponibile3.618

IS43QR16256A-093PBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR4
Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 1.066GHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)

Disponibile2.700

IS43QR16256A-093PBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 96BGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR4
Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 1.05GHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)

Disponibile8.172

IS43QR16256A-093PBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR4
Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 1.066GHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)

Disponibile7.182

IS43QR16256A-093PBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR4
Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 1.066GHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)

Disponibile7.470

IS43QR16256B-083RBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

4G DDR4 256MX16 BGA(96)

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR4
Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 1.2GHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-BGA

Disponibile5.760

IS43QR16256B-083RBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

4G DDR4 256MX16 BGA(96)

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR4
Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 1.2GHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-BGA

Disponibile7.218

IS43R16160B-5TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II

Disponibile5.850

IS43R16160B-5TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II

Disponibile5.328

IS43R16160B-5TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II

Disponibile6.660

IS43R16160B-6TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II

Disponibile3.042

IS43R16160B-6TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II

Disponibile5.940

IS43R16160B-6TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II

Disponibile3.762

IS43R16160B-6TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II

Disponibile4.446

IS43R16160D-5BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (8x13)

Disponibile8.640

IS43R16160D-5BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (8x13)

Disponibile4.878

IS43R16160D-5BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (8x13)

Disponibile3.834

IS43R16160D-5BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (8x13)

Disponibile4.356

IS43R16160D-5TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II

Disponibile8.982

IS43R16160D-5TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II

Disponibile4.788

Send Message

Certifications

Circuiti integrati di memoria

Risorse

Supporto

Social Media

Need Help?
Send Message