Circuiti integrati di memoria

Numero parte	Descrizione	Disponibile
IS43LR32160C-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 512Mb (16M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)	Disponibile4.842
IS43LR32200B-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)	Disponibile6.246
IS43LR32200B-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)	Disponibile3.762
IS43LR32200C-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)	Disponibile2.250
IS43LR32200C-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)	Disponibile6.318
IS43LR32320B-5BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 1G PARALLEL 90LFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 1Gb (32M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-LFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-LFBGA (8x13)	Disponibile4.572
IS43LR32320B-5BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 1G PARALLEL 90LFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 1Gb (32M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-LFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-LFBGA (8x13)	Disponibile3.598
IS43LR32320B-5BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 1G PARALLEL 90LFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 1Gb (32M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-LFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-LFBGA (8x13)	Disponibile2.250
IS43LR32320B-5BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 1G PARALLEL 90LFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 1Gb (32M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-LFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-LFBGA (8x13)	Disponibile5.454
IS43LR32320B-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 90LFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-LFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-LFBGA (8x13)	Disponibile2.862
IS43LR32320B-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 90LFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-LFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-LFBGA (8x13)	Disponibile5.634
IS43LR32320B-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 90LFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-LFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-LFBGA (8x13)	Disponibile5.760
IS43LR32320B-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 90LFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-LFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-LFBGA (8x13)	Disponibile7.128
IS43LR32400F-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)	Disponibile8.730
IS43LR32400F-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)	Disponibile2.898
IS43LR32400F-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)	Disponibile3.024
IS43LR32400F-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)	Disponibile2.340
IS43LR32400G-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)	Disponibile7.686
IS43LR32400G-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)	Disponibile3.582
IS43LR32400G-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)	Disponibile4.806
IS43LR32400G-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)	Disponibile2.286
IS43LR32640A-5BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 90WBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-LFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-WBGA (8x13)	Disponibile8.928
IS43LR32640A-5BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 90WBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-LFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-WBGA (8x13)	Disponibile7.560
IS43LR32640A-5BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 90WBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-LFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-WBGA (8x13)	Disponibile5.364
IS43LR32640A-5BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 90WBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-LFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-WBGA (8x13)	Disponibile2.124
IS43LR32640A-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 90WBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-LFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-WBGA (8x13)	Disponibile5.958
IS43LR32640A-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 90WBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-LFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-WBGA (8x13)	Disponibile7.056
IS43LR32640A-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 90WBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-LFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-WBGA (8x13)	Disponibile2.862
IS43LR32640A-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 90WBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-LFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-WBGA (8x13)	Disponibile2.466
IS43LR32800F-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)	Disponibile7.848

IS43LR32160C-6BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 512Mb (16M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)

Disponibile4.842

IS43LR32200B-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)

Disponibile6.246

IS43LR32200B-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)

Disponibile3.762

IS43LR32200C-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)

Disponibile2.250

IS43LR32200C-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)

Disponibile6.318

IS43LR32320B-5BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 90LFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 1Gb (32M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-LFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-LFBGA (8x13)

Disponibile4.572

IS43LR32320B-5BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 90LFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 1Gb (32M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-LFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-LFBGA (8x13)

Disponibile3.598

IS43LR32320B-5BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 90LFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 1Gb (32M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-LFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-LFBGA (8x13)

Disponibile2.250

IS43LR32320B-5BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 90LFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 1Gb (32M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-LFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-LFBGA (8x13)

Disponibile5.454

IS43LR32320B-6BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 90LFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-LFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-LFBGA (8x13)

Disponibile2.862

IS43LR32320B-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 90LFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-LFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-LFBGA (8x13)

Disponibile5.634

IS43LR32320B-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 90LFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-LFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-LFBGA (8x13)

Disponibile5.760

IS43LR32320B-6BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 90LFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-LFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-LFBGA (8x13)

Disponibile7.128

IS43LR32400F-6BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)

Disponibile8.730

IS43LR32400F-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)

Disponibile2.898

IS43LR32400F-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)

Disponibile3.024

IS43LR32400F-6BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)

Disponibile2.340

IS43LR32400G-6BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)

Disponibile7.686

IS43LR32400G-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)

Disponibile3.582

IS43LR32400G-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)

Disponibile4.806

IS43LR32400G-6BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)

Disponibile2.286

IS43LR32640A-5BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 90WBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-LFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-WBGA (8x13)

Disponibile8.928

IS43LR32640A-5BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 90WBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-LFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-WBGA (8x13)

Disponibile7.560

IS43LR32640A-5BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 90WBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-LFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-WBGA (8x13)

Disponibile5.364

IS43LR32640A-5BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 90WBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-LFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-WBGA (8x13)

Disponibile2.124

IS43LR32640A-6BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 90WBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-LFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-WBGA (8x13)

Disponibile5.958

IS43LR32640A-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 90WBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-LFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-WBGA (8x13)

Disponibile7.056

IS43LR32640A-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 90WBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-LFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-WBGA (8x13)

Disponibile2.862

IS43LR32640A-6BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 90WBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-LFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-WBGA (8x13)

Disponibile2.466

IS43LR32800F-6BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)

Disponibile7.848

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