Circuiti integrati di memoria

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CY7C1370KV25-167AXCT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.4ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile7.596
CY7C1370KV25-167BZC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.4ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (13x15)	Disponibile5.868
CY7C1370KV25-167BZI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 167MHZ Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.4ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (13x15)	Disponibile8.676
CY7C1370KV25-200AXC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile8.262
CY7C1370KV25-200BZC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (13x15)	Disponibile6.900
CY7C1370KV33-167AXC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.4ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile8.496
CY7C1370KV33-167AXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.4ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile6.910
CY7C1370KV33-167AXIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.4ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile5.310
CY7C1370KV33-167BZXC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.4ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (13x15)	Disponibile7.344
CY7C1370KV33-200AXC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile8.028
CY7C1370KV33-200AXCT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile4.482
CY7C1370KV33-200AXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile8.064
CY7C1370KV33-200BZXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 200MHZ Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (13x15)	Disponibile7.740
CY7C1370KV33-250AXC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile356
CY7C1370KVE33-167AXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 167MHZ Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.4ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile2.998
CY7C1370KVE33-167AXM Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 167MHZ Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.4ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -55°C ~ 125°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile8.856
CY7C1370S-167AXC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.4ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)	Disponibile6.174
CY7C1370S-167AXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.4ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)	Disponibile2.016
CY7C1370S-200AXC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.4ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)	Disponibile3.472
CY7C1370S-200AXCT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.4ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)	Disponibile4.032
CY7C1370S-200BZI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.4ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (13x15)	Disponibile3.456
CY7C1370SV25-167AXC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.4ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)	Disponibile7.650
CY7C1370SV25-167AXCT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.4ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)	Disponibile7.488
CY7C1370SV25-167BZC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.4ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (13x15)	Disponibile2.286
CY7C1370SV25-200AXC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.4ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)	Disponibile7.614
CY7C1370SV25-200BZC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.4ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (13x15)	Disponibile5.508
CY7C1371C-100AC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile4.302
CY7C1371D-100AXC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile3.600
CY7C1371D-100AXCT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile7.830
CY7C1371D-100AXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile231

CY7C1370KV25-167AXCT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.4ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile7.596

CY7C1370KV25-167BZC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.4ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (13x15)

Disponibile5.868

CY7C1370KV25-167BZI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 167MHZ

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.4ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (13x15)

Disponibile8.676

CY7C1370KV25-200AXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile8.262

CY7C1370KV25-200BZC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (13x15)

Disponibile6.900

CY7C1370KV33-167AXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.4ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile8.496

CY7C1370KV33-167AXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.4ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile6.910

CY7C1370KV33-167AXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.4ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile5.310

CY7C1370KV33-167BZXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.4ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (13x15)

Disponibile7.344

CY7C1370KV33-200AXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile8.028

CY7C1370KV33-200AXCT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile4.482

CY7C1370KV33-200AXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile8.064

CY7C1370KV33-200BZXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 200MHZ

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (13x15)

Disponibile7.740

CY7C1370KV33-250AXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile356

CY7C1370KVE33-167AXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 167MHZ

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.4ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile2.998

CY7C1370KVE33-167AXM

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 167MHZ

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.4ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 125°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile8.856

CY7C1370S-167AXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.4ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

Disponibile6.174

CY7C1370S-167AXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.4ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

Disponibile2.016

CY7C1370S-200AXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.4ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

Disponibile3.472

CY7C1370S-200AXCT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.4ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

Disponibile4.032

CY7C1370S-200BZI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.4ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (13x15)

Disponibile3.456

CY7C1370SV25-167AXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.4ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

Disponibile7.650

CY7C1370SV25-167AXCT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.4ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

Disponibile7.488

CY7C1370SV25-167BZC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.4ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (13x15)

Disponibile2.286

CY7C1370SV25-200AXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.4ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

Disponibile7.614

CY7C1370SV25-200BZC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.4ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (13x15)

Disponibile5.508

CY7C1371C-100AC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile4.302

CY7C1371D-100AXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile3.600

CY7C1371D-100AXCT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile7.830

CY7C1371D-100AXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile231

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