Circuiti integrati di memoria

Numero parte	Descrizione	Disponibile
CY7C1370BV25-167AC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.4ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile6.930
CY7C1370D-167AXC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.4ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile1.338
CY7C1370D-167AXCB Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.4ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile2.592
CY7C1370D-167AXCT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.4ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile6.624
CY7C1370D-167AXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.4ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile70
CY7C1370D-167AXIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.4ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile4.032
CY7C1370D-167BZXC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.4ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (13x15)	Disponibile7.362
CY7C1370D-200AXC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile12.137
CY7C1370D-200AXCT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile5.022
CY7C1370D-200AXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile5.634
CY7C1370D-200BGXC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 119-BGA Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)	Disponibile3.744
CY7C1370D-200BZC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (13x15)	Disponibile5.184
CY7C1370D-200BZI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (13x15)	Disponibile121
CY7C1370D-200BZIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (13x15)	Disponibile4.482
CY7C1370D-250AXC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 250MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 2.6ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile3.174
CY7C1370D-250AXCT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 250MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 2.6ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile7.560
CY7C1370D-250AXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 250MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 2.6ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile4.446
CY7C1370DV25-167AXC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.4ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile6.720
CY7C1370DV25-167AXCT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.4ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile2.934
CY7C1370DV25-167AXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.4ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile2.304
CY7C1370DV25-167AXIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.4ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile3.816
CY7C1370DV25-167BZC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.4ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (13x15)	Disponibile2.178
CY7C1370DV25-167BZI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.4ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (13x15)	Disponibile7.938
CY7C1370DV25-200AXC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile5.842
CY7C1370DV25-200AXCT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile4.194
CY7C1370DV25-200BZC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (13x15)	Disponibile8.262
CY7C1370DV25-200BZCT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (13x15)	Disponibile6.102
CY7C1370DV25-250AXC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 250MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 2.6ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile243
CY7C1370DV25-250AXCT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 250MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 2.6ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile6.606
CY7C1370KV25-167AXC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.4ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile8.856

CY7C1370BV25-167AC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.4ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile6.930

CY7C1370D-167AXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.4ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile1.338

CY7C1370D-167AXCB

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.4ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile2.592

CY7C1370D-167AXCT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.4ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile6.624

CY7C1370D-167AXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.4ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile70

CY7C1370D-167AXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.4ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile4.032

CY7C1370D-167BZXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.4ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (13x15)

Disponibile7.362

CY7C1370D-200AXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile12.137

CY7C1370D-200AXCT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile5.022

CY7C1370D-200AXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile5.634

CY7C1370D-200BGXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 119-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)

Disponibile3.744

CY7C1370D-200BZC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (13x15)

Disponibile5.184

CY7C1370D-200BZI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (13x15)

Disponibile121

CY7C1370D-200BZIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (13x15)

Disponibile4.482

CY7C1370D-250AXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 250MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 2.6ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile3.174

CY7C1370D-250AXCT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 250MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 2.6ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile7.560

CY7C1370D-250AXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 250MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 2.6ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile4.446

CY7C1370DV25-167AXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.4ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile6.720

CY7C1370DV25-167AXCT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.4ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile2.934

CY7C1370DV25-167AXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.4ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile2.304

CY7C1370DV25-167AXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.4ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile3.816

CY7C1370DV25-167BZC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.4ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (13x15)

Disponibile2.178

CY7C1370DV25-167BZI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.4ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (13x15)

Disponibile7.938

CY7C1370DV25-200AXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile5.842

CY7C1370DV25-200AXCT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile4.194

CY7C1370DV25-200BZC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (13x15)

Disponibile8.262

CY7C1370DV25-200BZCT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (13x15)

Disponibile6.102

CY7C1370DV25-250AXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 250MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 2.6ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile243

CY7C1370DV25-250AXCT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 250MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 2.6ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile6.606

CY7C1370KV25-167AXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.4ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile8.856

Send Message

Certifications

Circuiti integrati di memoria

Risorse

Supporto

Social Media

Need Help?
Send Message