Raddrizzatori - Singoli

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CategoriaSemiconduttori / Diodi e raddrizzatori / Raddrizzatori - Singoli

Record 34.936

Pagina 699/1165

Numero parte	Produttore	Descrizione	Disponibile	Serie	Tipo di diodo	Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)	Corrente - Media Rettificata (Io)	Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If	Velocità	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Perdita inversa @ Vr	Capacità @ Vr, F	Tipo di montaggio	Pacchetto / Custodia	Pacchetto dispositivo fornitore	Temperatura di esercizio - Giunzione
1N1128	Microsemi	STANDARD RECTIFIER	8.370	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
1N1128AR	Microsemi	STANDARD RECTIFIER	2.160	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
1N1128RA	Microsemi	STANDARD RECTIFIER	5.040	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
DSA75-12B	IXYS	DIODE AVALANCHE 1.2KV 110A DO203	2.520	-	Avalanche	1200V	110A	1.17V @ 150A	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	-	6mA @ 1200V	-	Chassis, Stud Mount	DO-203AB, DO-5, Stud	DO-203AB	-40°C ~ 180°C
DSAI75-12B	IXYS	DIODE AVALANCHE 1.2KV 110A DO203	4.590	-	Avalanche	1200V	110A	1.17V @ 150A	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	-	6mA @ 1200V	-	Chassis, Stud Mount	DO-203AB, DO-5, Stud	DO-203AB	-40°C ~ 180°C
1N6078US	Microsemi	DIODE GEN PURP 150V 6A D5B	8.442	-	Standard	150V	6A	1.76V @ 18.8A	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	30ns	5µA @ 150V	-	Surface Mount	E-MELF	D-5B	-65°C ~ 155°C
1N6079US	Microsemi	DIODE GEN PURP 50V 2A G-MELF	6.786	-	Standard	50V	2A	1.5V @ 37.7A	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	30ns	10µA @ 50V	-	Surface Mount	SQ-MELF, G	G-MELF (D-5C)	-65°C ~ 155°C
1N3779	Microsemi	STANDARD RECTIFIER	7.362	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
VS-T85HF120	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 200V 85A D-55	4.824	-	Standard	200V	85A	-	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	-	20mA @ 200V	-	Chassis Mount	D-55 T-Module	D-55	-
1N3890AR	Microsemi	FAST RECOVERY RECTIFIER	5.850	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
1N3891AR	Microsemi	FAST RECOVERY RECTIFIER	5.256	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
1N3892AR	Microsemi	FAST RECOVERY RECTIFIER	7.938	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
1N3893A	Microsemi	FAST RECOVERY RECTIFIER	2.538	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
1N3879	Microsemi	FAST RECOVERY RECTIFIER	3.510	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
1N3880	Microsemi	FAST RECOVERY RECTIFIER	253	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
1N3881	Microsemi	FAST RECOVERY RECTIFIER	5.238	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
1N3882	Microsemi	FAST RECOVERY RECTIFIER	3.024	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
1N3883	Microsemi	FAST RECOVERY RECTIFIER	4.860	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
1N3889	Microsemi	FAST RECOVERY RECTIFIER	8.604	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
1N3890	Microsemi	FAST RECOVERY RECTIFIER	146	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
1N3892	Microsemi	FAST RECOVERY RECTIFIER	77	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
1N3893R	Microsemi	FAST RECOVERY RECTIFIER	7.506	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
VS-T110HF20	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 200V 110A D-55	5.274	-	Standard	200V	110A	-	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	-	20mA @ 200V	-	Chassis Mount	D-55 T-Module	D-55	-
1N6642UB2R	Microsemi	DIODE GEN PURPOSE	5.202	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
S304120	Microsemi	DIODE GEN PURP 1.2KV 40A DO5	5.562	-	Standard	1200V	40A	1.9V @ 40A	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	5µs	10µA @ 1200V	-	Chassis, Stud Mount	DO-203AB, DO-5, Stud	DO-5	-
S304100	Microsemi	RECTIFIER	7.146	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
S30420	Microsemi	RECTIFIER	5.238	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
S30460	Microsemi	RECTIFIER	2.100	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
S30480	Microsemi	RECTIFIER	2.268	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
S306100	Microsemi	RECTIFIER	8.046	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-

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