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X28HC256JIZ-12T1

X28HC256JIZ-12T1

Solo per riferimento

Numero parte X28HC256JIZ-12T1
PNEDA Part # X28HC256JIZ-12T1
Descrizione IC EEPROM 256K PARALLEL 32PLCC
Produttore Renesas Electronics America Inc.
Prezzo unitario
1 ---------- $409,2083
50 ---------- $390,0267
100 ---------- $370,8450
200 ---------- $351,6634
400 ---------- $335,6787
500 ---------- $319,6940
Disponibile 6.482
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 24 - mag 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

X28HC256JIZ-12T1 Risorse

Brand Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteX28HC256JIZ-12T1
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
X28HC256JIZ-12T1, X28HC256JIZ-12T1 Datasheet (Totale pagine: 19, Dimensioni: 867,23 KB)
PDFX28HC256JI-90R5699 Datasheet Copertura
X28HC256JI-90R5699 Datasheet Pagina 2 X28HC256JI-90R5699 Datasheet Pagina 3 X28HC256JI-90R5699 Datasheet Pagina 4 X28HC256JI-90R5699 Datasheet Pagina 5 X28HC256JI-90R5699 Datasheet Pagina 6 X28HC256JI-90R5699 Datasheet Pagina 7 X28HC256JI-90R5699 Datasheet Pagina 8 X28HC256JI-90R5699 Datasheet Pagina 9 X28HC256JI-90R5699 Datasheet Pagina 10 X28HC256JI-90R5699 Datasheet Pagina 11

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X28HC256JIZ-12T1 Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America Inc.
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5ms
Tempo di accesso120ns
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia32-LCC (J-Lead)
Pacchetto dispositivo fornitore32-PLCC (11.43x13.97)

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Produttore

Macronix

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

33MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

100µs, 10ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-UFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-USON (2x3)

7130SA100P

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

8Kb (1K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

100ns

Tempo di accesso

100ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

48-DIP (0.600", 15.24mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

48-PDIP

S29GL128P11FAI010

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-P

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

110ns

Tempo di accesso

110ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

64-FBGA (13x11)

FM25V20-G

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

F-RAM™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FRAM

Tecnologia

FRAM (Ferroelectric RAM)

Dimensione della memoria

2Mb (256K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

40MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

S34MS04G200BHA003

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

4Gb (512M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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