S34MS04G200BHA003
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| Numero parte | S34MS04G200BHA003 |
| PNEDA Part # | S34MS04G200BHA003_33 |
| Descrizione | IC FLASH 4G PARALLEL |
| Produttore | Cypress Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.240 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 15 - mag 20 (Scegli Spedizione rapida) |
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S34MS04G200BHA003 Risorse
| Brand | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | S34MS04G200BHA003 |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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S34MS04G200BHA003 Specifiche
| Produttore | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | Automotive, AEC-Q100, MS-2 |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NAND |
| Dimensione della memoria | 4Gb (512M x 8) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 45ns |
| Tempo di accesso | 45ns |
| Tensione - Alimentazione | 1.7V ~ 1.95V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 63-VFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 63-BGA (11x9) |
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Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria NVSRAM Tecnologia NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Dimensione della memoria 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 45ns Tempo di accesso 45ns Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 48-BSSOP (0.295", 7.50mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 48-SSOP |
