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W9864G2JH-6 TR

W9864G2JH-6 TR

Solo per riferimento

Numero parte W9864G2JH-6 TR
PNEDA Part # W9864G2JH-6-TR
Descrizione IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II
Produttore Winbond Electronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.570
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 14 - mag 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

W9864G2JH-6 TR Risorse

Brand Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteW9864G2JH-6 TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
W9864G2JH-6 TR, W9864G2JH-6 TR Datasheet (Totale pagine: 44, Dimensioni: 1.398,24 KB)
PDFW9864G2JH-6 Datasheet Copertura
W9864G2JH-6 Datasheet Pagina 2 W9864G2JH-6 Datasheet Pagina 3 W9864G2JH-6 Datasheet Pagina 4 W9864G2JH-6 Datasheet Pagina 5 W9864G2JH-6 Datasheet Pagina 6 W9864G2JH-6 Datasheet Pagina 7 W9864G2JH-6 Datasheet Pagina 8 W9864G2JH-6 Datasheet Pagina 9 W9864G2JH-6 Datasheet Pagina 10 W9864G2JH-6 Datasheet Pagina 11

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W9864G2JH-6 TR Specifiche

ProduttoreWinbond Electronics
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM
Dimensione della memoria64Mb (2M x 32)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso5ns
Tensione - Alimentazione3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore86-TSOP II

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Micron Technology Inc.

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

800MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.2V

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

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Tipo di memoria

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Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

100ns

Tempo di accesso

100ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

18Mb (1M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.1ns

Tensione - Alimentazione

2.375V ~ 2.625V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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Winbond Electronics

Produttore

Winbond Electronics

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR

Dimensione della memoria

256Mb (16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 2.7V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

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