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MT25QU128ABA8ESF-0SIT

MT25QU128ABA8ESF-0SIT MT25QU128ABA8ESF-0SIT

Solo per riferimento

Numero parte MT25QU128ABA8ESF-0SIT
PNEDA Part # MT25QU128ABA8ESF-0SIT
Descrizione IC FLASH 128M SPI 133MHZ 16SOP2
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 10.006
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 1 - mag 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT25QU128ABA8ESF-0SIT Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT25QU128ABA8ESF-0SIT
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT25QU128ABA8ESF-0SIT, MT25QU128ABA8ESF-0SIT Datasheet (Totale pagine: 95, Dimensioni: 1.325,68 KB)
PDFMT25QU128ABA8E12-0SIT Datasheet Copertura
MT25QU128ABA8E12-0SIT Datasheet Pagina 2 MT25QU128ABA8E12-0SIT Datasheet Pagina 3 MT25QU128ABA8E12-0SIT Datasheet Pagina 4 MT25QU128ABA8E12-0SIT Datasheet Pagina 5 MT25QU128ABA8E12-0SIT Datasheet Pagina 6 MT25QU128ABA8E12-0SIT Datasheet Pagina 7 MT25QU128ABA8E12-0SIT Datasheet Pagina 8 MT25QU128ABA8E12-0SIT Datasheet Pagina 9 MT25QU128ABA8E12-0SIT Datasheet Pagina 10 MT25QU128ABA8E12-0SIT Datasheet Pagina 11

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MT25QU128ABA8ESF-0SIT Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria128Mb (16M x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina8ms, 2.8ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 2V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore16-SO

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S29GL064N11TFIV13

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-N

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

110ns

Tempo di accesso

110ns

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

56-TSOP

S29GL256S11FHIV13

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-S

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

256Mb (16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

60ns

Tempo di accesso

110ns

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

64-FBGA (13x11)

S25FL216K0PXEI909

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

FL2-K

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

16Mb (2M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Dual I/O

Frequenza di clock

65MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

Die

Pacchetto dispositivo fornitore

Wafer

CY7C1460KV25-167BZCT

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

NoBL™

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

36Mb (1M x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

167MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.4ns

Tensione - Alimentazione

2.375V ~ 2.625V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-FBGA (15x17)

70V9279S6PRF

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Synchronous

Dimensione della memoria

512Kb (32K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

6.5ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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