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W25Q256JVBIM TR

W25Q256JVBIM TR

Solo per riferimento

Numero parte W25Q256JVBIM TR
PNEDA Part # W25Q256JVBIM-TR
Descrizione IC FLASH 256M SPI 24TFBGA
Produttore Winbond Electronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.880
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 24 - mag 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

W25Q256JVBIM TR Risorse

Brand Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteW25Q256JVBIM TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
W25Q256JVBIM TR, W25Q256JVBIM TR Datasheet (Totale pagine: 92, Dimensioni: 1.663,18 KB)
PDFW25Q256JVEIM Datasheet Copertura
W25Q256JVEIM Datasheet Pagina 2 W25Q256JVEIM Datasheet Pagina 3 W25Q256JVEIM Datasheet Pagina 4 W25Q256JVEIM Datasheet Pagina 5 W25Q256JVEIM Datasheet Pagina 6 W25Q256JVEIM Datasheet Pagina 7 W25Q256JVEIM Datasheet Pagina 8 W25Q256JVEIM Datasheet Pagina 9 W25Q256JVEIM Datasheet Pagina 10 W25Q256JVEIM Datasheet Pagina 11

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W25Q256JVBIM TR Specifiche

ProduttoreWinbond Electronics
SerieSpiFlash®
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria256Mb (32M x 8)
Interfaccia di memoriaSPI - Quad I/O
Frequenza di clock133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina3ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia24-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore24-TFBGA (6x8)

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Tecnologia

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Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

16MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

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Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.65V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

24AA04-I/P

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

4Kb (256 x 8 x 2)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ns

Tempo di accesso

10ns

Tensione - Alimentazione

2.4V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

44-TSOP II

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Winbond Electronics

Produttore

Winbond Electronics

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3L

Dimensione della memoria

2Gb (256M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

667MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.283V ~ 1.45V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

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