VS-GA200HS60S1PBF
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| Numero parte | VS-GA200HS60S1PBF |
| PNEDA Part # | VS-GA200HS60S1PBF |
| Descrizione | IGBT 600V 480A 830W INT-A-PAK |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.070 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 23 - mag 28 (Scegli Spedizione rapida) |
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VS-GA200HS60S1PBF Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | VS-GA200HS60S1PBF |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Moduli |
| Datasheet |
VS-GA200HS60S1PBF, VS-GA200HS60S1PBF Datasheet
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VS-GA200HS60S1PBF Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | - |
| Configurazione | Half Bridge |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 600V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 480A |
| Potenza - Max | 830W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.21V @ 15V, 200A |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 1mA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 32.5nF @ 30V |
| Input | Standard |
| Termistore NTC | No |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | INT-A-Pak |
| Pacchetto dispositivo fornitore | INT-A-PAK |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT - Configurazione Single Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 1200A Potenza - Max 7600W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 800A Corrente - Taglio collettore (Max) 5mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 52nF @ 25V Input Standard Termistore NTC No Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Module Pacchetto dispositivo fornitore Module |
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