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VMM85-02F

VMM85-02F

Solo per riferimento

Numero parte VMM85-02F
PNEDA Part # VMM85-02F
Descrizione MOSFET 2N-CH 200V 84A Y4
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.704
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 24 - lug 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

VMM85-02F Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteVMM85-02F
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
VMM85-02F, VMM85-02F Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 91,78 KB)
PDFVMM85-02F Datasheet Copertura
VMM85-02F Datasheet Pagina 2 VMM85-02F Datasheet Pagina 3 VMM85-02F Datasheet Pagina 4

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VMM85-02F Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieHiPerFET™
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C84A
Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs450nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds15000pF @ 25V
Potenza - Max370W
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaY4-M6
Pacchetto dispositivo fornitoreY4-M6

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A, 3.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 5.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18.5nC @ 8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

787pF @ 6V

Potenza - Max

1.36W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

600mA, 350mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

700mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.1nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

60pF @ 10V

Potenza - Max

446mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Produttore

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Serie

HiPerFET™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

300V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

290A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.6mOhm @ 145A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 30mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1440nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

40000pF @ 25V

Potenza - Max

1500W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

1000V (1kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

36A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

270mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

308nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

8700pF @ 25V

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