UTV200
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| Numero parte | UTV200 |
| PNEDA Part # | UTV200 |
| Descrizione | RF TRANS NPN 28V 860MHZ 55JV |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.748 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 24 - lug 29 (Scegli Spedizione rapida) |
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UTV200 Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | UTV200 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - RF |
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UTV200 Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | NPN |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 28V |
| Frequenza - Transizione | 470MHz ~ 860MHz |
| Figura di rumore (dB Typ @ f) | - |
| Guadagno | 8.5dB ~ 9.5dB |
| Potenza - Max | 80W |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 1A, 5V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 4.5A |
| Temperatura di esercizio | 200°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | 55JV |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 55JV |
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Produttore NXP USA Inc. Serie - Tipo di transistor NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 12V Frequenza - Transizione 5GHz Figura di rumore (dB Typ @ f) 1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz Guadagno - Potenza - Max 300mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 30mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 35mA Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-323-3 |
Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo di transistor NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 12V Frequenza - Transizione 8GHz Figura di rumore (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Guadagno 18.5dB Potenza - Max 175mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 5mA, 8V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 20mA Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3 |
