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UT6K3TCR

UT6K3TCR

Solo per riferimento

Numero parte UT6K3TCR
PNEDA Part # UT6K3TCR
Descrizione 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 107.226
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 19 - giu 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

UT6K3TCR Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteUT6K3TCR
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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UT6K3TCR Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FET-
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs42mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds450pF @ 15V
Potenza - Max2W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-PowerUDFN
Pacchetto dispositivo fornitoreHUML2020L8

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Vishay Siliconix

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 5.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 400µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

830mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

IRF7907TRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.1A, 11A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16.4mOhm @ 9.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.35V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

850pF @ 15V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

CSD87353Q5D

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Produttore

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

40A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3190pF @ 15V

Potenza - Max

12W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerLDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

8-LSON (5x6)

AOD607

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel Complementary

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1250pF @ 15V

Potenza - Max

2.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252-4L

AO4600CL

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

-

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