UPA2765T1A-E2-AY
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| Numero parte | UPA2765T1A-E2-AY |
| PNEDA Part # | UPA2765T1A-E2-AY |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 100A 8SON |
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.294 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 17 - mag 22 (Scegli Spedizione rapida) |
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UPA2765T1A-E2-AY Risorse
| Brand | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | UPA2765T1A-E2-AY |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
UPA2765T1A-E2-AY, UPA2765T1A-E2-AY Datasheet
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UPA2765T1A-E2-AY Specifiche
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9mOhm @ 32A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 152nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6550pF @ 10V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.5W (Ta), 83W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-HVSON (5.4x5.15) |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerVDFN |
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