UNR52A6G0L
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| Numero parte | UNR52A6G0L |
| PNEDA Part # | UNR52A6G0L |
| Descrizione | TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3 |
| Produttore | Panasonic Electronic Components |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 25.218 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 23 - mag 28 (Scegli Spedizione rapida) |
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UNR52A6G0L Risorse
| Brand | Panasonic Electronic Components |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | UNR52A6G0L |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato |
| Datasheet |
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UNR52A6G0L Specifiche
| Produttore | Panasonic Electronic Components |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | NPN - Pre-Biased |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 80mA |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 50V |
| Resistenza - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistenza - Base Emettitore (R2) | - |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 500nA |
| Frequenza - Transizione | 150MHz |
| Potenza - Max | 150mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SC-85 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SMini3-F2 |
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Produttore Panasonic Electronic Components Serie - Tipo di transistor NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 100 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 100 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max) 500nA Frequenza - Transizione - Potenza - Max 200mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore Mini3-G3-B |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo di transistor NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 22 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max) 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione 250MHz Potenza - Max 150mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore USM |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo di transistor NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max) 500nA Frequenza - Transizione 250MHz Potenza - Max 100mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore USM |
Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo di transistor PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max) 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione 200MHz Potenza - Max 250mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SC-101, SOT-883 Pacchetto dispositivo fornitore PG-TSLP-3-4 |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo di transistor NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 2.2 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max) 500nA Frequenza - Transizione 250MHz Potenza - Max 150mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-723 Pacchetto dispositivo fornitore VESM |
