TSM4ND65CI
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| Numero parte | TSM4ND65CI |
| PNEDA Part # | TSM4ND65CI |
| Descrizione | 650V 4A SINGLE N-CHANNEL POWER M |
| Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 35.196 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 12 - mag 17 (Scegli Spedizione rapida) |
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TSM4ND65CI Risorse
| Brand | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | TSM4ND65CI |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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TSM4ND65CI Specifiche
| Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6Ohm @ 1.2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.8nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 596pF @ 50V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 41.6W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220 |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
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