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NTMFS4854NST3G

NTMFS4854NST3G

Solo per riferimento

Numero parte NTMFS4854NST3G
PNEDA Part # NTMFS4854NST3G
Descrizione MOSFET N-CH 25V 15.2A SO-8FL
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.120
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 19 - giu 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NTMFS4854NST3G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNTMFS4854NST3G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
NTMFS4854NST3G, NTMFS4854NST3G Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 145,95 KB)
PDFNTMFS4854NST3G Datasheet Copertura
NTMFS4854NST3G Datasheet Pagina 2 NTMFS4854NST3G Datasheet Pagina 3 NTMFS4854NST3G Datasheet Pagina 4 NTMFS4854NST3G Datasheet Pagina 5 NTMFS4854NST3G Datasheet Pagina 6 NTMFS4854NST3G Datasheet Pagina 7

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NTMFS4854NST3G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieSENSEFET®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C15.2A (Ta), 149A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)3.2V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs85nC @ 11.5V
Vgs (massimo)±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4830pF @ 12V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)900mW (Ta), 86.2W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSO-8FL
Pacchetto / Custodia8-PowerTDFN

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

-

Tecnologia

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Pacchetto / Custodia

-

STU8NM50N

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ II

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

790mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

364pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

45W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

I-PAK

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

DMP3017SFV-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

40A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 11.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

41nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2246pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

31W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerDI3333-8

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

CSD25480F3

Texas Instruments

Produttore

Serie

FemtoFET™

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.7A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 8V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

132mOhm @ 400mA, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.91nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

-12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

155pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

500mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

3-PICOSTAR

Pacchetto / Custodia

3-XFDFN

PMV55ENEAR

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.1A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.7V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

646pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

478mW (Ta), 8.36W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-236AB

Pacchetto / Custodia

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